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EPC公司的40 V eGaNFET是需要高功率密度的電信、網通和計算解決方案的理想器件

作者:時間:2021-10-29來源:電子產品世界收藏

EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化鎵場效應晶體管 (eGaN? FET),器件型號為EPC2067,專為設計人員而設。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠,適用于高性能且空間受限的應用。

本文引用地址:http://www.pfaennle.com/article/202110/429245.htm

宜普電源轉換公司(EPC)是增強型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領導者。新推的EPC2067(典型值為 1.3 mΩ、40 V)擴大了可選的低壓器件,可立即供貨。

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EPC2067非常適合需要高功率密度的應用,包括48 V-54 V輸入服務器。較低的柵極電荷和零反向恢復損耗可實現1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在9.3 mm2 的微小占位面積內,實現高功率密度。

EPC公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow 表示:“EPC2067器件專為從40 V-60 V轉至12 V的LLC DC/DC轉換器的次級側而設計。與上一代40 V的GaN FET相比,這款40 V器件具有更高的性能和成本效益,從而讓設計師可以在更低的成本下,實現更高的效率和功率密度”。

開發板

EPC90138開發板的最大器件電壓為40 V、最大輸出電流為40 A,配備板載柵極驅動器的半橋器件,采用了EPC2067 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的電路板專為實現最佳開關性能而設計,并包含所有關鍵元件,讓工程師易于評估EPC2067器件。

一個1,000顆的卷盤的EPC2067的單價為2.69美元。



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